Inhoudsopgave
15 relaties: Ampère (eenheid), Bipolaire transistor, Darlingtontransistor, Elektrische spanning, Gate turn-off thyristor, Kilohertz, Megawatt, MOSFET, Nanofarad, Pulsbreedtemodulatie, Thyristor, Transistor, Vermogen (natuurkunde), Vermogenselektronica, Volt (eenheid).
Ampère (eenheid)
Ampère als ladingseenheid per tijdseenheid In de natuurkunde is de ampère, met symbool A, een eenheid van elektrische stroomsterkte.
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Ampère (eenheid)
Bipolaire transistor
Bipolaire transistor De bipolaire transistor is een actieve elektronische halfgeleidercomponent.
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Bipolaire transistor
Darlingtontransistor
Schema van een NPN-darlingtontransistor Een darlingtontransistor of kort darlington is een schakeling van twee in cascade gekoppelde transistors in één behuizing.
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Darlingtontransistor
Elektrische spanning
Elektrische spanning – ook bekend als het elektrische potentiaalverschil – is het verschil in potentiële elektrische energie tussen twee punten per eenheid van lading.
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Elektrische spanning
Gate turn-off thyristor
GTO Een gate turn-off thyristor GTO is een thyristor die men vanuit de gate in geleiding kan brengen door een positieve puls te genereren op deze gate.
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Gate turn-off thyristor
Kilohertz
De kilohertz is een tot het SI behorende afgeleide eenheid.
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Kilohertz
Megawatt
De megawatt (symbool MW) is een tot het SI behorende afgeleide eenheid voor vermogen.
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Megawatt
MOSFET
Een MOSFET of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor is een bepaald type veldeffecttransistor (FET).
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en MOSFET
Nanofarad
Boven- en zijkant van een condensator van 4700 pF of 4,7 nF Een nanofarad (symbool nF) is het miljardste deel van een farad, de eenheid van elektrische capaciteit, dus 0,000 000 001 F (10−9 F).
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Nanofarad
Pulsbreedtemodulatie
Fig. 1: Pulsbreedtemodulatie Pulsbreedtemodulatie (PBM of PWM van het Engelse pulse-width modulation) is een modulatietechniek waarbij in een vaste frequentie pulsen worden uitgezonden waarvan de breedte gevarieerd wordt.
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Pulsbreedtemodulatie
Thyristor
De thyristor Aansnijding van gelijkgerichte wisselspanning Een thyristor is een halfgeleider, met de werking van een elektronische schakelaar, die geschikt is om grote vermogens bij hoge spanningen met betrekkelijk weinig verlies te schakelen.
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Thyristor
Transistor
Voorbeelden van transistors Een transistor (samentrekking v. Eng. transfer en resistor,.
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Transistor
Vermogen (natuurkunde)
Vermogen is een natuurkundige grootheid voor de energie (arbeid) per tijdseenheid.
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Vermogen (natuurkunde)
Vermogenselektronica
Vermogenselektronica (ook wel vermogenelektronica gespeld) is een deelgebied van de elektronica waar men elektronische componenten gebruikt voor het schakelen, sturen en omvormen van grote elektrische vermogens zoals die in de energietechniek worden gebruikt.
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Vermogenselektronica
Volt (eenheid)
De volt (symbool van de eenheid volt is V) is de SI-eenheid voor elektrische potentiaal en elektrische spanning (potentiaalverschil).
Bekijken Insulated-gate bipolar transistor en Volt (eenheid)
Ook bekend als I.G.B.T, IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor.